三星电子有限公司是先进内存技术的全球领导者，已宣布使用业界首个 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发其 16 吉比特 (Gb) DDR5 DRAM，并完成了与 AMD 的兼容性测试。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示： “我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动 DDR5 DRAM 在市场范围内采用的关键推动力。” “凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”

“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展，” AMD 高级副总裁、企业研究员兼客户、计算和图形首席技术官 Joe Macri 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在‘Zen’平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”

这一技术飞跃是通过使用新的高容量材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。采用先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，新型 DRAM 拥有业内最高的裸片密度。这使晶圆生产率提高了 20%。

三星的 12 纳米级 DRAM 将通过使用最新的 DDR5 标准帮助解锁高达每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的速度。这相当于在一秒钟内处理两部 30 GB 的 UHD 电影。

新 DRAM 的卓越速度与改进的电源效率相得益彰。12 纳米级 DRAM 的功耗比之前的 DRAM 低 23%，是希望以更环保的方式开展业务的国际 IT 公司的最佳选择。

随着它继续与行业合作伙伴合作以加快下一代计算的采用，三星计划从 2023 年开始将其基于这种尖端 12 纳米级制造技术的 DRAM 产品线扩展到广泛的市场。